Do pěti let procesory až na 10 GHz

Očekává se, že během pěti až deseti let bude Intel díky tomuto objevu schopen vyrábět procesory obsahující více než 400 milionů tranzistorů operující na rychlosti 10 GHz, přičemž tyto procesory budou vyžadovat menší napájecí napětí a tudíž budou vyzařovat méně tepla. Pro porovnání současná vlajková loď Intelu Pentium 4 obsahuje 42 milionů tranzistorů a vyrábí se na maximální frekvenci 1,5 GHz.

Při této příležitosti vydala společnost Intel následující tiskovou zprávu:

Vývojáři společnosti Intel vytvořili nejmenší a nejrychlejší tranzistor CMOS na světě, což představuje významný průlom. Tento průlom umožní společnosti Intel vyrobit během příštích pěti až deseti let mikroprocesory, které budou obsahovat více než 400 miliónů tranzistorů, budou mít frekvenci 10 GHz (10 miliard kmitů za sekundu) a budou moci fungovat při napětí nižším než jeden volt.

Tranzistory se skládají ze součástek o velikosti pouhých 30 nanometrů a tloušťce tří atomových vrstev. (Poznámka: nanometr je jedna miliardtina metru). Menší tranzistory jsou rychlejší a rychlé tranzistory tvoří klíčové stavební prvky rychlých mikroprocesorů, mozků počítačů a mnoha dalších inteligentních zařízení. Nové tranzistory, které fungují jako spínače regulující tok elektronů uvnitř mikročipu, mohou za jedno mrknutí okem dokončit 400 miliónů výpočtů anebo za dobu, než letící kulka urazí jednu stopu, provést dva milióny výpočtů. Výkonné mikroprocesory podle názoru vědců umožní, že se aplikace, které známe z literatury sci-fi - jako je okamžitý převod hlasu v reálném čase - stanou každodenní realitou. Vývojáři z laboratoří společnosti Intel oznámí podrobnosti svého pokroku dnes v San Franciscu na Mezinárodním setkání na téma elektronová zařízení, což je přední technická konference pro inženýry a vědce v oblasti polovodičů.

"Tento průlom umožní společnosti Intel i nadále dlouhodobě zvyšovat výkon a snižovat náklady na mikroprocesory," uvedl Dr. Sunlin Chou, viceprezident a generální ředitel skupiny Technologie a výroba společnosti Intel. "Naši výzkumníci vstupují do neprobádaných oblastí, které se nacházejí za dříve předpokládanými limity normování křemíku, a přesto stále zjišťují, že Moorův zákon nebyl porušen."

Vývojáři společnosti Intel vyrobili tyto extrémně malé tranzistory výrazným snížením všech jejich rozměrů. Oxidy na řídící elektrodě, které byly použity k výrobě těchto tranzistorů, mají tloušťku pouhé tři atomové vrstvy. Na tloušťku jednoho listu papíru by bylo nutné naskládat na sebe více než 100 000 těchto elektrod. Důležité je i to, že experimentální tranzistory mají funkce o generace napřed před nejpokročilejšími technologiemi, které se v současnosti při výrobě používají; přitom však byly vytvořeny pomocí stejné fyzikální struktury, která se používá v dnešních počítačových čipech.

"Mnoho odborníků se domnívalo, že tak malé tranzistory se strukturou CMOS nebude možné vyrobit kvůli problémům spojeným s únikem elektrické energie," poznamenal Dr. Gerald Marcyk, ředitel laboratoře výzkumu komponentů ve skupině Technologie a výroba společnosti Intel. "Náš výzkum dokazuje, že se tyto menší tranzistory chovají stejným způsobem jako stávající zařízení a prokazuje, že neexistují žádné zásadní překážky, které by v budoucnosti znemožňovaly výrobu těchto zařízení ve velkých objemech. Nejdůležitější vlastností těchto tranzistorů o velikosti 30 nanometrů je, že jsou malé, rychlé a pracují při nízkém napětí. Běžně se dosahuje splnění dvou z těchto tří parametrů, ale splnění požadavků na všech úrovních je významným úspěchem.""Díky těmto objevům se do budoucnosti dívám s nadšením," dodal Sunlin Chou. "Dosáhnout významného technologického průlomu je jedna věc. Ale dosáhnout technologického průlomu, který změní život každého z nás, je něco jiného. S tranzistorem Intel o velikosti 30 nanometrů jsme dosáhli obojího."

Další informace o technologickém výzkumu společnosti Intel v oblasti polovodičů najdete na adrese ukázek nových polovodičových výrobků Intel na adrese www.intel.com/research/silicon.